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PD55003TR-E /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
PD55003TR-E的规格信息
PD55003TR-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2.5 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

增益:17 dB

输出功率:3 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerSO-10RF-Formed-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:3.5 mm

长度:7.5 mm

工作频率:1 GHz

系列:PD55003-E

类型:RF Power MOSFET

宽度:9.4 mm

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:31.7 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

单位重量:3 g

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PD55003TR-ERF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO468.27 Kbytes共29页PD55003TR-E的PDF下载地址
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