图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:CEL
产品种类:射频(RF)双极晶体管
RoHS:是
晶体管类型:Bipolar
技术:SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO:2.8 V
集电极连续电流:750 mA
安装风格:SMD/SMT
类型:RF Silicon Germanium
商标:CEL
Pd-功率耗散:1.9 W
产品类型:RF Bipolar Transistors
工厂包装数量:1
子类别:Transistors