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NESG2030M04-A /CEL/分立半导体产品
NESG2030M04-A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):2.3V

频率 - 跃迁:60GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

增益:16dB

功率 - 最大值:80mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 5mA,2V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):35mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-343F

供应商器件封装:M04

供应商NESG2030M04-A
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