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NESG2101M05-EVPW24-A /射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator

NESG2101M05-EVPW24-A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Renesas Electronics

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:否

晶体管类型:Bipolar

技术:SiGe

晶体管极性:NPN

类型:RF Silicon Germanium

商标:Renesas Electronics

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NESG2101M05-EVPW24-A	射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator	Renesas Electronics		191.22 Kbytes	共6页		无
NESG2101M05-EVPW24-A	EVAL BOARD NESG2101M05	CEL		1.10 Mbytes	共14页		无

NESG2101M05-EVPW24-A的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	NESG2101M05-EVPW24-A	Renesas Electronics	射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator	1:¥1,056.55
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