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NESG2046M33-T3-A /CEL/分立半导体产品

NESG2046M33-T3-A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：5V

频率 - 跃迁：18GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益：9.5dB ~ 11.5dB

功率 - 最大值：130mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：140 @ 2mA，1V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：40mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商器件封装：3 针 SuperMiniMold（M33）

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	NESG2046M33-T3-A	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	NESG2046M33-T3-A	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	NESG2046M33-T3-A	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市华兴微电子有限公司	NESG2046M33-T3-A	华强广场A座14B	13202105858 13202105858	蔡升航	询价
盛信伟业（深圳）科技有限公司	NESG2046M33-T3-A	深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A	19926488141 19926488141	赵伟滨	询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司	NESG2046M33-T3-A	深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-8	13066809747 13066809747	李小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
NESG2046M33-T3-A	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION	NEC[NEC]		118.31 Kbytes	共3页		NESG204619,NESG210719,NTE65,BFP420,2SC5507,2SC5508,BFY193,2SC5606,BFY196,NE661M04
NESG2046M33-T3-A	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION	CEL[California Eastern Labs]		292.56 Kbytes	共4页		2SC5761,NST489AMT1,NESG270034,2SC5745,2SC5746,2SC5787,MD2103DFX,BRF610,S2000AF_07,2SC5754

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