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NESG2101M05-A /CEL/分立半导体产品
NESG2101M05-A的规格信息
NESG2101M05-A的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:RF 晶体管(BJT)

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN

电压 - 集射极击穿(最大值):5V

频率 - 跃迁:17GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益:11dB ~ 19dB

功率 - 最大值:500mW

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):130 @ 15mA,2V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-343F

供应商器件封装:M05

其它名称:NESG2101M05A

供应商NESG2101M05-A
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NESG2101M05-ANPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW RENESAS[Renesas Technology Corp]RENESAS[Renesas Technology Corp]的LOGO172.81 Kbytes共15页NESG2101M05-A的PDF下载地址
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NESG2101M05-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)TRANS NPN 2GHZ M05500 : $0.9625
250 : $1.1
100 : $1.2375
10 : $1.54
1 : $1.71
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NESG2101M05-ACELRF TRANS NPN 5V 17GHZ M05Discontinued at Digi-Key
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NESG2101M05-ACELRF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 射频双极晶体管 NPN SiGe High Freq 半导体1+:¥12.44
10+:¥11.21
100+:¥9
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NESG2101M05-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)NESG2101 Series 5 V 17 GHz 100 mA RF Germanium Transistor - SOT-343
RoHS : Compliant
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