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NESG250134-T1-AZ /CEL/分立半导体产品
NESG250134-T1-AZ的规格信息
NESG250134-T1-AZ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：9.2V

频率 - 跃迁：10GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-

增益：23dB

功率 - 最大值：1.5W

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 100mA，3V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：3-PowerMiniMold

其它名称：NESG250134-T1-AZCT

供应商NESG250134-T1-AZ
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深圳市坤融电子有限公司NESG250134-T1-AZ航都大厦10I0755-23990975
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深圳市天卓伟业电子有限公司NESG250134-T1-AZ深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NESG250134-T1-AZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市赛美科科技有限公司NESG250134-T1-AZ广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市大源实业科技有限公司NESG250134-T1-AZ深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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NESG250134-T1-AZNECs NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIVATION (800mW) 3-PIN OWER MINIMOLD (34 PACKAGE) CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO706.62 Kbytes共13页NESG250134-T1-AZ的PDF下载地址2N2222ACSM4,2N3700DCSM,2N2222ADCSM,2N2369ACSM,2N2484CSM,2N2369A1,2N930CSM,2N3439CSM4,2N3439CSM4R,2N3501CSM4
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