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NE4210S01 /射频JFET晶体管 Super Lo Noise HJFET
NE4210S01的规格信息
NE4210S01的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品种类：射频JFET晶体管

类型：GaAs HEMT

正向跨导 - 最小值：55 mS

漏源电压 VDS：4 V

闸/源击穿电压：- 3 V

漏极连续电流：70 mA

频率：12 GHz

增益：13 dB

功率耗散：165 mW

最大工作温度：+ 125 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：S0-1

商标：CEL

噪声系数：0.5 dB

产品：RF JFET

工厂包装数量：4000

ROHS： 无铅

供应商NE4210S01
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现代芯城（深圳）科技有限公司NE4210S01-T1Bwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司NE4210S01深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司NE4210S01-T1B深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司NE4210S01-T1B/JT深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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NE4210S01-T1BSUPER LOW NOISE HJ FET CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO252.15 Kbytes共7页NE4210S01-T1B的PDF下载地址NE334S01_00,NE434S01_98,NE3210S01,MGF1451A,NE321000_01,CFB0301_06,CFB0303,TC1102,NE32584C_98,MGF4941AL
NE4210S01的全球分销商及价格
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Avnet Express		NE4210S01California Eastern Laboratories (CEL)SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled799 : $1.1157
999 : $1.1013
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Avnet Express		NE4210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET - Product that comes on tape, but is not reeled价格未公开
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		NE4210S01CELHJ-FET 13DB S01Obsolete
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Digi-Key 得捷电子		NE4210S01California Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET 13DB S0180 : $2.125
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		NE4210S01-T1BCalifornia Eastern Laboratories (CEL)HJ-FET 13DB S014,000 : $0.864
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Digi-Key 得捷电子		NE4210S01-T1BCELHJ-FET 13DB S01Obsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		NE4210S01-T1BRenesas Electronics America IncSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET$1.26000
元器件资料网-Richardson RFPD的LOGO
Richardson RFPD		NE4210S01-T1BRenesas Electronics CorporationRF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET1 : $0.0
NE4210S01的相关型号
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