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NCE6020AI /连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道
NCE6020AI的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻35mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)45W(Tc)

类型N沟道

供应商NCE6020AI
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50+:¥0.6752
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