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NCE603S /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.3A,6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA,3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 6A,10V;80mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道
NCE603S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）60V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.3A,6A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA,3.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 6A,10V;80mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2W

类型N沟道和P沟道

供应商NCE603S
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现代芯城（深圳）科技有限公司NCE603Swww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市天卓伟业电子有限公司NCE603S深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市德州众泰科技有限公司NCE603S深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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深圳市科思奇电子科技有限公司NCE603S上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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