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MRFG35002N6AT1 /Freescale Semiconductor/分立半导体产品
MRFG35002N6AT1的规格信息
MRFG35002N6AT1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

PCN 过时产品/ EOL：RF Devices 01/Jul/2010

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：pHEMT FET

频率：3.55GHz

增益：10dB

电压 - 测试：6V

额定电流：1.7A

噪声系数：-

电流 - 测试：65mA

功率 - 输出：1.5W

电压 - 额定：8V

封装/外壳：PLD-1.5

供应商器件封装：PLD-1.5

供应商MRFG35002N6AT1
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MRFG35002N6AT1Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO187.31 Kbytes共11页MRFG35002N6AT1的PDF下载地址MRFG35002N6T1_08,MRFG35002N6T1,MRFG35020AR1,MRFG35030R5,MRF6P27160HR6_06,NP80N03ELE_07,MRFE6S9045NR1,2N6059_03,MRF1518T1,MW6S004NT1_07
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