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MRFE6VS25LR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
MRFE6VS25LR5的规格信息
MRFE6VS25LR5的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:140 V

增益:25.9 dB

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-360-2

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1.8 MHz to 2000 MHz

系列:MRFE6VS25N

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

通道模式:Enhancement

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

零件号别名:935320096178

单位重量:3 g

供应商MRFE6VS25LR5
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