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MRFE6VS25NR1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
MRFE6VS25NR1的规格信息
MRFE6VS25NR1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 133 V

增益:27 dB

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270-2

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:1.8 MHz to 2000 MHz

系列:MRFE6VS25N

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

零件号别名:935319933528

单位重量:529.550 mg

供应商MRFE6VS25NR1
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MRFE6VS25NR1的全球分销商及价格
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