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MRFE6VP6300HR3 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:130 V

增益:26.6 dB

输出功率:300 W

最小工作温度:- 30 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1.8 MHz to 600 MHz

系列:MRFE6VP6300

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

Pd-功率耗散:1.05 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

零件号别名:935317343128

单位重量:6.396 g

供应商MRFE6VP6300HR3
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MRFE6VP6300HR3Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品250+:¥565.671+:¥591.8599
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MRFE6VP6300HR3FREESCALE SEMICONDUCTOR - NXPFET RF N-CH 300W NI780-4250 : $77.77212
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Digi-Key 得捷电子
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MRFE6VP6300HR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4Obsolete
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Mouser 贸泽电子
MRFE6VP6300HR3Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品250+:¥565.671+:¥591.8599
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MRFE6VP6300HR3Freescale SemiconductorRF POWER TRANSISTOR1 : $77.94
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MRFE6VP6300HR3Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R$75.0125