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MRFE6VP8600HSR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
MRFE6VP8600HSR5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:140 V

增益:18.8 dB

输出功率:600 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-1230S

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Dual

工作频率:470 MHz to 860 MHz

系列:MRFE6VP8600H

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

正向跨导 - 最小值:15.6 S

Pd-功率耗散:1.52 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.07 V

零件号别名:935310858178

单位重量:13.264 g

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