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MRFE6VP61K25HR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:10 uA

Vds-漏源极击穿电压:133 V

增益:24 dB

输出功率:1.25 kW

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-1230

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1.8 MHz, 600 MHz

系列:MRFE6VP61K25H

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

Pd-功率耗散:1.333 kW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

零件号别名:935314411178

单位重量:13.155 g

供应商MRFE6VP61K25HR5
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深圳市辉华拓展电子有限公司MRFE6VP61K25HR5深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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MRFE6VP61K25HR5Freescale Semiconductor- Tape and Reel50 : $334.386
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MRFE6VP61K25HR5Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H50+:¥1832.5501
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Digi-Key 得捷电子
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MRFE6VP61K25HR5Freescale SemiconductorRF POWER FET N CH 125V 1250W NI-1230
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Mouser 贸泽电子
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Verical
MRFE6VP61K25HR5Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R$243.0125