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MRF175LU /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
MRF175LU的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:13 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:10 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:333-4

封装:Bulk

配置:Single

工作频率:400 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:MACOM

Pd-功率耗散:270 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:20

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

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MRF175LUMACOM射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB1:¥583.2156
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MRF175LUM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB1+:¥552.05
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Verical
MRF175LUM/A-COM Technology SolutionsTrans RF MOSFET N-CH 65V 13A 4-Pin Case 333-04$76.7