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MRF151A /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
MRF151A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:16 A

Vds-漏源极击穿电压:125 V

增益:13 dB

输出功率:150 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

封装 / 箱体:244-4

封装:Tray

配置:Single

工作频率:175 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:MACOM

Pd-功率耗散:416 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:20

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

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MRF151ARF Power Field-Effect Transistor 150W, 50V, 175MHz N-Channel Broadband MOSFET MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]的LOGO351.16 Kbytes共8页MRF151A的PDF下载地址
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MRF151AMACOMMOSFET
RoHS : Compliant
1 : $108.0
10 : $98.099998
50 : $95.0
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MRF151AM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管1+:¥544.341+:¥560.641+:¥762.79
5+:¥711.6901
10+:¥696.58
25+:¥688.67
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MRF151AMACOMFET RF N-CH 50V 150W P-2441 : $74.84
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MRF151AM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管1+:¥544.34
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MRF151AMACOM Technology SolutionsFET RF N-CH 50V 150W P-244$89.80500
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MRF151AM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管1+:¥544.341+:¥560.64
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MRF151AMACOM射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管1:¥572.1529
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5+:¥711.6901
10+:¥696.58
25+:¥688.671+:¥712.72