制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:211-07-3

封装:Tray

配置:Single

工作频率:200 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:220 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V