制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:6 A

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

增益:10 dB

输出功率:35 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-272-6 EP

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

最小工作温度:- 65 C

工作频率:520 MHz

Pd-功率耗散:135 W

类型:RF Power MOSFET

Vgs th-栅源极阈值电压:2.6 V