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MRF151G /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
MRF151G的规格信息
MRF151G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:40 A

Vds-漏源极击穿电压:125 V

增益:14 dB

输出功率:300 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装:Tray

配置:Dual

工作频率:175 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:MACOM

Pd-功率耗散:500 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

供应商MRF151G
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现代芯城(深圳)科技有限公司MRF151Gwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市坤融电子有限公司MRF151G航都大厦10I0755-23990975
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MRF151GN-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO156.88 Kbytes共6页MRF151G的PDF下载地址MRF173,MRF173CQ,MRF177,MRF141,MRF141G,MRF141,MRF177,MRF141G,UGF27025,MRF151
MRF151GN-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET MACOM[Tyco Electronics]MACOM[Tyco Electronics]的LOGO250.44 Kbytes共9页MRF151G的PDF下载地址MRF173,MRF173CQ,MRF141,MRF177,MRF141G,MRF177,MRF141,UGF27025,MRF151,MRF141G
MRF151GRF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR ASI[Advanced Semiconductor]ASI[Advanced Semiconductor]的LOGO21.26 Kbytes共1页MRF151G的PDF下载地址
MRF151GRF Power Field-Effect Transistor 300 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]的LOGO405.01 Kbytes共9页MRF151G的PDF下载地址
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MRF151GMACOMTrans RF MOSFET N-CH 125V 40A 5-Pin Case 375-04
RoHS : Compliant
1 : $149.0
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25 : $112.0
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MRF151GM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB1+:¥815.06
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Digi-Key 得捷电子
MRF151GMACOMFET RF 2N-CH 50V 300W 375-04250 : $91.052
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Mouser 贸泽电子
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25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
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Richardson RFPD
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Verical
MRF151GM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB1+:¥815.06
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