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MRF1517NT1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
MRF1517NT1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:4 A

Vds-漏源极击穿电压:25 V

增益:14 dB

输出功率:8 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PLD-1.5

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:1.83 mm

长度:6.73 mm

工作频率:520 MHz

系列:MRF1517NT1

类型:RF Power MOSFET

宽度:5.97 mm

商标:NXP / Freescale

通道模式:Enhancement

湿度敏感性:Yes

Pd-功率耗散:62.5 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.7 V

零件号别名:935310293515

单位重量:280 mg

供应商MRF1517NT1
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RS_hk(欧时香港)
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9000+:¥36.981+:¥29.51
25+:¥29.2401
50+:¥28.98
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500+:¥27.91
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5000+:¥27.51