制造商:MACOM
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:16 A
Vds-漏源极击穿电压:125 V
增益:17 dB
输出功率:150 W
最大工作温度:+ 200 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:221-11-3
高度:6.58 mm
长度:26.04 mm
类型:RF Power MOSFET
宽度:24.77 mm
商标:MACOM
正向跨导 - 最小值:4 mhos
通道数量:1 Channel
Pd-功率耗散:300 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:1
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:40 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V