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MRF141G /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
MRF141G的规格信息
MRF141G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:32 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:12 dB

输出功率:300 W

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:375-04

封装:Tray

配置:Dual

工作频率:175 MHz

商标:MACOM

Pd-功率耗散:500 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:40 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

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MRF141GMACOMTrans RF MOSFET N-CH 65V 32A 5-Pin Case 375-04
RoHS : Compliant
1 : $222.0
10 : $202.0
25 : $199.0
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MRF141GMACOMFET RF 2N CH 28V 300W 375-041 : $157.45
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MRF141GM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB1+:¥1145.2
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MRF141GMACOM Technology SolutionsFET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04$188.94000
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MRF141GM/A-COMRF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB1+:¥1145.21+:¥1183.1
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MRF141GMACOM射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB1:¥1,207.3824
10:¥1,180.3415
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MRF141GAdvanced Semiconductor, Inc.射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor1:¥1,451.8127
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Verical
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