LNE10R180
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道
LNE10R180的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）80A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）147W(Tc)
类型N沟道
LNE10R180
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| LNE10R180 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1003.13 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
LNE10R180的全球分销商及价格
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立创商城 | LNE10R180 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：147W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.44
10+:￥2.52
30+:￥2.36
100+:￥2.19
500+:￥2.11
1000+:￥2.08
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