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LND4N60 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W 类型：N沟道

LND4N60的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）32W

类型N沟道

LND4N60

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深圳市芯幂科技有限公司	LND4N60	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	LND4N60	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	LND4N60	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	LND4N60	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市铭泰电子科技有限公司	LND4N60	深圳市罗湖区海丽大厦丽珠阁12E	0755-22725486 13923765194	岳先生	询价
深圳市德东科技有限公司	LND4N60	深圳市福田区深南大道3007号国际科技大厦1605	075583222701 13975536999	吴先生	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
LND4N60	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		1.4 Mbytes	共11页		无

LND4N60的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	LND4N60	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W 类型：N沟道	1+:￥1.4265 10+:￥1.0817 30+:￥1.0183 100+:￥0.955 500+:￥0.9268 1000+:￥0.9129

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