LNE08R055W3
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道
LNE08R055W3的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）85V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）120A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）189W(Tc)
类型N沟道
LNE08R055W3
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| LNE08R055W3 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.11 Mbytes | 共9页 |  | 无 |
LNE08R055W3的全球分销商及价格
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立创商城 | LNE08R055W3 | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥3.55
10+:￥2.61
30+:￥2.43
100+:￥2.26
500+:￥2.18
1000+:￥2.14
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