LND7N60D
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道
LND7N60D的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.3Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）39W
类型N沟道
LND7N60D
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| LND7N60D | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 940.27 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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立创商城 | LND7N60D | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：39W 类型：N沟道 | 1+:￥2.1
10+:￥1.58
30+:￥1.48
100+:￥1.38
500+:￥1.34
1000+:￥1.32
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