LNE06R062
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
LNE06R062的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）120A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）120W(Tc)
类型N沟道
LNE06R062
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| LNE06R062 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.10 Mbytes | 共9页 |  | 无 |
LNE06R062的全球分销商及价格
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10+:￥2.52
30+:￥2.36
100+:￥2.19
500+:￥2.11
1000+:￥2.08
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