LND2N65
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W 类型：N沟道
LND2N65的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻5.2Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）27W
类型N沟道
LND2N65
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| LND2N65 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1015.65 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
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10+:￥0.8802
30+:￥0.8233
100+:￥0.7663
500+:￥0.741
1000+:￥0.7285
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