KIA65R950FS
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道
KIA65R950FS的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻950mΩ @ 2.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W
类型N沟道
KIA65R950FS
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KIA65R950FS | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道 | KIA 半导体 |  | 726.81 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
KIA65R950FS的全球分销商及价格
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 立创商城 | KIA65R950FS | KIA 半导体 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:N沟道 | 1+:¥3.17 10+:¥2.35 30+:¥2.19 100+:¥2.04 500+:¥1.98 1000+:¥1.94
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