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IRF7907TRPBF /MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
IRF7907TRPBF的规格信息
IRF7907TRPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:9.1 A, 11 A

Rds On-漏源导通电阻:17.1 mOhms, 11.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:6.7 nC, 14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.0 W

配置:Dual

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:19 S, 24 S

下降时间:3.4 ns, 5.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.3 ns, 14 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:8 ns, 13 ns

典型接通延迟时间:6 ns, 8 ns

零件号别名:SP001566462

单位重量:506.600 mg

供应商IRF7907TRPBF
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深圳市芯幂科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司IRF7907TRPBF华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IRF7907TRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市鑫智腾创科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区红荔路上航大厦西座410-813066809747
13066809747
李小姐Email:xiegp12@163.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IRF7907TRPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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深圳和润天下电子科技有限公司IRF7907TRPBF深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
集好芯城IRF7907TRPBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市安富世纪电子有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
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13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市仓实科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司IRF7907TRPBF世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453,18929374037,18922803401
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF7907TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳亿恒升电子有限公司IRF7907TRPBF都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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苏先生,李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF7907TRPBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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IRF7907TRPBFMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1AInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO320.70 Kbytes共10页IRF7907TRPBF的PDF下载地址
IRF7907TRPBFMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO329.41 Kbytes共11页IRF7907TRPBF的PDF下载地址
IRF7907TRPBF连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A,11A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 25uA 漏源导通电阻:16.4mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO320.30 Kbytes共10页IRF7907TRPBF的PDF下载地址
IRF7907TRPBFMOSFET; DUAL N-CHANNEL; 30V; 9.1A; SO-8InfineonInfineon的LOGO329.41 Kbytes共11页IRF7907TRPBF的PDF下载地址
IRF7907TRPBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRF7907TRPBFInfineonMOSFET; DUAL N-CHANNEL; 30V; 9.1A; SO-84000:$1.26
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
IRF7907TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1+:¥10.76
10+:¥6.65
25+:¥5.95
50+:¥5.4
100+:¥4.8599
250+:¥4.55
500+:¥4.3
1000+:¥4.02991+:¥7.77
10+:¥3.92
100+:¥3.77
500+:¥3.56
1000+:¥3.54
4000+:¥3.38
8000+:¥3.25
24000+:¥3.2
48000+:¥3.135+:¥3.13
25+:¥3.08
100+:¥3.0299
500+:¥2.64
2000+:¥2.48100+:¥4.21
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
IRF7907TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1+:¥10.76
10+:¥6.65
25+:¥5.95
50+:¥5.4
100+:¥4.8599
250+:¥4.55
500+:¥4.3
1000+:¥4.02991+:¥7.77
10+:¥3.92
100+:¥3.77
500+:¥3.56
1000+:¥3.54
4000+:¥3.38
8000+:¥3.25
24000+:¥3.2
48000+:¥3.135+:¥3.13
25+:¥3.08
100+:¥3.0299
500+:¥2.64
2000+:¥2.48100+:¥4.211+:¥2.59
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
IRF7907TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1+:¥10.76
10+:¥6.65
25+:¥5.95
50+:¥5.4
100+:¥4.8599
250+:¥4.55
500+:¥4.3
1000+:¥4.02991+:¥7.77
10+:¥3.92
100+:¥3.77
500+:¥3.56
1000+:¥3.54
4000+:¥3.38
8000+:¥3.25
24000+:¥3.2
48000+:¥3.135+:¥3.13
25+:¥3.08
100+:¥3.0299
500+:¥2.64
2000+:¥2.48
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO$1.04000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF7907TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1+:¥10.76
10+:¥6.65
25+:¥5.95
50+:¥5.4
100+:¥4.8599
250+:¥4.55
500+:¥4.3
1000+:¥4.0299
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF7907TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1+:¥10.76
10+:¥6.65
25+:¥5.95
50+:¥5.4
100+:¥4.8599
250+:¥4.55
500+:¥4.3
1000+:¥4.02991+:¥7.77
10+:¥3.92
100+:¥3.77
500+:¥3.56
1000+:¥3.54
4000+:¥3.38
8000+:¥3.25
24000+:¥3.2
48000+:¥3.13
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
4,000:¥3.2883
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF7907TRPBFInternational RectifierFET - 阵列 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A1+:¥10.76
10+:¥6.65
25+:¥5.95
50+:¥5.4
100+:¥4.8599
250+:¥4.55
500+:¥4.3
1000+:¥4.02991+:¥7.77
10+:¥3.92
100+:¥3.77
500+:¥3.56
1000+:¥3.54
4000+:¥3.38
8000+:¥3.25
24000+:¥3.2
48000+:¥3.135+:¥3.13
25+:¥3.08
100+:¥3.0299
500+:¥2.64
2000+:¥2.48100+:¥4.211+:¥2.591+:¥7.1801
10+:¥4.61
25+:¥4.26
100+:¥3.54
250+:¥3.25
500+:¥2.97
1000+:¥2.73
3000+:¥2.49
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
IRF7907TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A,11A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.35V @ 25uA 漏源导通电阻:16.4mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道1+:¥2.466
10+:¥1.842
30+:¥1.728
100+:¥1.614
500+:¥1.56
1000+:¥1.536