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IRF7862TRPBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF7862TRPBF的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：45nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4090pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：IRF7862TRPBFTR

供应商IRF7862TRPBF
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深圳市芯幂科技有限公司IRF7862TRPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司IRF7862TRPBF华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IRF7862TRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRF7862TRPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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集好芯城IRF7862TRPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
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集好芯城IRF7862TRPBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市百域芯科技有限公司IRF7862TRPBF世纪汇都会轩45070755-82788062
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IRF7862TRPBF深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF7862TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF7862TRPBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市华芯盛世科技有限公司IRF7862TRPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF7862TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
IRF7862TRPBF及相关型号的PDF资料
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IRF7862TRPBFMOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC QgInfineon / IRInfineon / IR的LOGO250.44 Kbytes共9页IRF7862TRPBF的PDF下载地址无
IRF7862TRPBFMOSFET N-CH 30V 21A 8SOInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO259.35 Kbytes共10页IRF7862TRPBF的PDF下载地址无
IRF7862TRPBF连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 100uA 漏源导通电阻：3.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO250.14 Kbytes共9页IRF7862TRPBF的PDF下载地址无
IRF7862TRPBFMOSFET; N Ch.; 30V; 21A; 3.7 MOHM; 30 NC QG; SO-8; Pb-FreeInfineonInfineon的LOGO259.35 Kbytes共10页IRF7862TRPBF的PDF下载地址无
IRF7862TRPBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		IRF7862TRPBFInfineonMOSFET; N Ch.; 30V; 21A; 3.7 MOHM; 30 NC QG; SO-8; Pb-Free4000:$1.04
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IRF7862TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg4000+:￥3.88
8000+:￥3.74
12000+:￥3.55
28000+:￥3.43
100000+:￥3.321+:￥8.61
10+:￥4.34
100+:￥4.1799
500+:￥3.95
1000+:￥3.93
4000+:￥3.76
8000+:￥3.61
24000+:￥3.55
48000+:￥3.474000+:￥2.24000+:￥2.50011+:￥2.96
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IRF7862TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg4000+:￥3.88
8000+:￥3.74
12000+:￥3.55
28000+:￥3.43
100000+:￥3.321+:￥8.61
10+:￥4.34
100+:￥4.1799
500+:￥3.95
1000+:￥3.93
4000+:￥3.76
8000+:￥3.61
24000+:￥3.55
48000+:￥3.474000+:￥2.2
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A 8SO$1.07000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF7862TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg4000+:￥3.88
8000+:￥3.74
12000+:￥3.55
28000+:￥3.43
100000+:￥3.32
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		IRF7862TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg4000+:￥3.88
8000+:￥3.74
12000+:￥3.55
28000+:￥3.43
100000+:￥3.321+:￥8.61
10+:￥4.34
100+:￥4.1799
500+:￥3.95
1000+:￥3.93
4000+:￥3.76
8000+:￥3.61
24000+:￥3.55
48000+:￥3.474000+:￥2.24000+:￥2.5001
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IRF7862TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg4000+:￥3.88
8000+:￥3.74
12000+:￥3.55
28000+:￥3.43
100000+:￥3.321+:￥8.61
10+:￥4.34
100+:￥4.1799
500+:￥3.95
1000+:￥3.93
4000+:￥3.76
8000+:￥3.61
24000+:￥3.55
48000+:￥3.47
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IRF7862TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
4,000:¥3.7516
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		IRF7862TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg4000+:￥3.88
8000+:￥3.74
12000+:￥3.55
28000+:￥3.43
100000+:￥3.321+:￥8.61
10+:￥4.34
100+:￥4.1799
500+:￥3.95
1000+:￥3.93
4000+:￥3.76
8000+:￥3.61
24000+:￥3.55
48000+:￥3.474000+:￥2.24000+:￥2.50011+:￥2.961+:￥7.91
10+:￥5.36
25+:￥4.8
100+:￥4.1601
250+:￥4.0101
500+:￥3.8201
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IRF7862TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 100uA 漏源导通电阻：3.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道1+:￥3.98
10+:￥2.98
30+:￥2.79
100+:￥2.61
500+:￥2.53
1000+:￥2.49
IRF7862TRPBF的相关型号
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