封装/外壳：SO8

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.6A，11A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.2 毫欧 @ 7.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：910pF @ 15V

功率 - 最大值：1.4W，2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

系列：HEXFET®

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.6A，11A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16.2 毫欧 @ 7.6A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：910pF @ 15V

功率-最大值：1.4W，2W

封装形式Package：SOIC

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：7.6A/11A

供应商器件封装：8-SO

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs