封装/外壳：SO8

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.8A，8.9A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：21.8 毫欧 @ 7.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：600pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

通道类型：N

最大连续漏极电流：7.8 A，8.9 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：21.3 m0hms，29.3 m0hms

最大栅阈值电压：2.25V

最小栅阈值电压：1.35V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SOIC

引脚数目：8

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：2 W

典型接通延迟时间：5.2 ns、6.2 ns

典型关断延迟时间：6.9 ns、8.1 ns

典型输入电容值@Vds：600 pF @ 15 V、910 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs：4.6 nC @ 4.5 V，6.9 nC @ 4.5 V

系列：HEXFET

每片芯片元件数目：2

最低工作温度：-55 °C

宽度：4mm

高度：1.5mm

长度：5mm

正向跨导：15S

正向二极管电压：1V

尺寸：5 x 4 x 1.5mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs