产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装：95
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.6A，11A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：16.2 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：910pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W，2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO