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IRF7842TRPBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF7842TRPBF的规格信息
IRF7842TRPBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4500pF @ 20V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：IRF7842PBFTR

供应商IRF7842TRPBF
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现代芯城（深圳）科技有限公司IRF7842TRPBFwww.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城IRF7842TRPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF7842TRPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF7842TRPBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市华芯盛世科技有限公司IRF7842TRPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF7842TRPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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IRF7842TRPBFN-Channel 40-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1995.47 Kbytes共9页IRF7842TRPBF的PDF下载地址无
IRF7842TRPBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		IRF7842TRPBFInfineonIRF7842TRPBF N-channel MOSFET Transistor; 18 A; 40 V; 8-Pin SOIC4000:$1.87
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
8000+:￥5.0299
12000+:￥4.79
28000+:￥4.63
100000+:￥4.471+:￥11.6
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF7842TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 18A 8SO$1.74000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
8000+:￥5.0299
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100000+:￥4.47
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
8000+:￥5.0299
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
8000+:￥5.0299
12000+:￥4.79
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100000+:￥4.471+:￥11.6
10+:￥5.8599
100+:￥5.64
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1000+:￥5.3
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8000+:￥4.87
24000+:￥4.8401
48000+:￥4.8599
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IRF7842TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.8422
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
4,000:¥5.5144
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		IRF7842TRPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg4000+:￥5.24
8000+:￥5.0299
12000+:￥4.79
28000+:￥4.63
100000+:￥4.471+:￥11.6
10+:￥5.8599
100+:￥5.64
500+:￥5.32
1000+:￥5.3
4000+:￥5.06
8000+:￥4.87
24000+:￥4.8401
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25+:￥9.39
100+:￥8.27
250+:￥7.3501
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1000+:￥5.51994000+:￥3.614000+:￥3.481+:￥4.871+:￥3.58
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IRF7842TRPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.25V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道1+:￥5.71
10+:￥4.31
30+:￥4.05
100+:￥3.6005
500+:￥3.496
1000+:￥3.439
IRF7842TRPBF的相关型号
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