图像仅供参考,请参阅规格书
晶体管极性N-Channel
汲极/源极击穿电压50 V
闸/源击穿电压20 V
漏极连续电流3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)200 mOhms
配置Dual
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8
栅极电荷 Qg10 nC
功率耗散2.4 W