封装/外壳：DIRECTFET

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Ta），125A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 28A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2510pF @ 13V

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），42W（Tc）

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

系列：HEXFET®

FET类型：N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：28A（Ta），125A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 50µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2510pF @ 13V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.7 毫欧 @ 28A，10V

封装形式Package：Direct-FET

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：25V

连续漏极电流ID：28A

供应商器件封装：DIRECTFET™ S3C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs