产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源：IRF6785MTR1PBF Saber Model IRF6785MTR1PBF Spice Model
标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.4A（Ta），19A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1500pF @ 25V
功率 - 最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ
供应商器件封装：DIRECTFET? MZ
其它名称：IRF6785MTR1PBFTR