产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：28A（Ta），125A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 28A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：25nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2510pF @ 13V

功率 - 最大值：2.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 S3C

供应商器件封装：DIRECTFET? S3C

其它名称：IRF6892STR1PBF-ND