封装/外壳：MG-WDSON-6

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：16A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1350pF @ 13V

功率 - 最大值：1.7W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

FET类型：2 个 N 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4.2 毫欧 @ 16A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 35µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1350pF @ 13V

功率-最大值：1.7W

封装形式Package：Direct-FET

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：25V

连续漏极电流ID：16A

供应商器件封装：DIRECTFET™ SA

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs