图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DirectFET-MZ
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Id-连续漏极电流:28 A
Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:25 nC
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:89 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:DirectFET
封装:Cut Tape
封装:Reel
高度:0.7 mm
长度:6.35 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5.05 mm
商标:Infineon Technologies
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.8 ns
工厂包装数量:4800
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:5.8 ns
典型接通延迟时间:5.9 ns
零件号别名:SP001562042