封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：2.4A

Rds On-漏源导通电阻：1.8Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：6.7nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：22.3W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSC6

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：50ns

上升时间：7ns

典型关闭延迟时间：30ns

典型接通延迟时间：7ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：2000.0mΩ

IDpuls max：6.0A

VDS max：600.0V

ID max：2.4A

RthJC max：5.6 K/W

QG (typ @10V)：6.7 nC

Package：DPAK (TO-252)

Budgetary Price €€/1k：0.21

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：22.3W

Polarity：N

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：SMT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs