FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：550V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 330µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：23nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：890pF @ 100V

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：399 毫欧 @ 4.9A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：500V

Id-连续漏极电流：9A

Rds On-漏源导通电阻：360mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：23nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：14ns

上升时间：14ns

典型关闭延迟时间：80ns

典型接通延迟时间：35ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs