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IPD50N03S2-07 /MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS
IPD50N03S2-07的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:7.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:26 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPD50N03S207ATMA1 IPD5N3S27XT SP000254462

单位重量:4 g

供应商IPD50N03S2-07
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IPD50N03S2-07InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm2500+:¥2.221+:¥5.57
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IPD50N03S2-07Infineon TechnologiesOPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET$0.53000
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IPD50N03S2-07InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm2500+:¥2.22
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Mouser 贸泽电子
IPD50N03S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS1:¥8.6784
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IPD50N03S2-07Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:4V @ 85uA 漏源导通电阻:7.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道1+:¥9.99
200+:¥3.87
500+:¥3.73
1000+:¥3.66