| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPD50N03S2-07 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm | 2500+:¥2.221+:¥5.57 10+:¥4.32 100+:¥2.79 1000+:¥2.27 2500+:¥2.08 10000+:¥2.06 25000+:¥1.98 50000+:¥1.97 100000+:¥ |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | $0.53000 |
 Digi-Key 得捷电子 | IPD50N03S2-07 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm | 2500+:¥2.22 |
 Mouser 贸泽电子 | IPD50N03S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS | 1:¥8.6784 10:¥7.4467 100:¥5.7178 500:¥5.0511 2,500:¥3.5369 10,000:查看
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 Mouser 贸泽电子 | IPD50N03S2-07 | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm | 2500+:¥2.221+:¥5.57 10+:¥4.32 100+:¥2.79 1000+:¥2.27 2500+:¥2.08 10000+:¥2.06 25000+:¥1.98 50000+:¥1.97 100000+:¥1.92 |
 立创商城 | IPD50N03S2-07 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:4V @ 85uA 漏源导通电阻:7.3mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥9.99 200+:¥3.87 500+:¥3.73 1000+:¥3.66
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