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IPD060N03LG / MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
IPD060N03LG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:56 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:3 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:3 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:5 ns

零件号别名:IPD060N03LGBTMA1 IPD060N03LGXT SP000236948

供应商IPD060N03LG
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IPD060N03LGOptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO526.25 Kbytes共12页IPD060N03LG的PDF下载地址
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IPD060N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1021.56 Kbytes共12页IPD060N03LGATMA1的PDF下载地址
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IPD060N03LG的全球分销商及价格
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IPD060N03LGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel2,500 : $0.2738
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IPD060N03LGInfineon Technologies AG价格未公开
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IPD060N03LGInfineon TechnologiesOPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET$0.27000
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Digi-Key 得捷电子
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 50A TO252-3$0.97000
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IPD060N03LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 50A TO252-3$0.39182
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IPD060N03LGINCTInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET$0.24000
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Mouser 贸泽电子
IPD060N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-21:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7572
2,500:¥2.3278
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IPD060N03LGInfineon Technologies AG 50 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA701 : $0.2475
127 : $0.2856
1 : $0.952
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Rochester Electronics
IPD060N03LGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.29
1,000 : $0.28
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立创商城
IPD060N03LGInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W 类型:N沟道1+:¥4.03
10+:¥3.03
30+:¥2.85
100+:¥2.66
500+:¥2.58
1000+:¥2.54