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IPD042P03L3G / MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
IPD042P03L3G的规格信息
IPD042P03L3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:70 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:4.2 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:22 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:167 ns

系列:OptiMOS P3

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:89 ns

典型接通延迟时间:21 ns

零件号别名:IPD042P03L3GBTMA1 IPD042P03L3GXT SP000473922

供应商IPD042P03L3G
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