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IPD053N06N /MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:4.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:38 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPD053N06NATMA1 IPD53N6NXT SP000962138

单位重量:4 g

供应商IPD053N06N
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17302670049
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18124047120
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13066809747
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13352985419
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD053N06N深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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IPD053N06N的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Avnet Express
IPD053N06NInfineon Technologies Americas Inc.SP000962138_MV POWER MOS_TR_RO2,500 : $0.8482
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Chip1Stop
IPD053N06NInfineon Technologies AGMOSFET
RoHS : Compliant
5 : $0.7
50 : $0.56
200 : $0.5
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ChipOneStop
IPD053N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥11.13
10+:¥9.8401
25+:¥8.89
100+:¥7.78
250+:¥6.82
500+:¥6.05
1000+:¥4.781+:¥8.61
10+:¥6.8401
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500+:¥4.6701
1000+:¥4.56
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10000+:¥4.09
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50000+:¥4.021+:¥11.38
25+:¥10.53
100+:¥8.115+:¥5.22
10+:¥4.36
50+:¥4.14
100+:¥3.87
200+:¥3.6899
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Digi-Key 得捷电子
IPD053N06NInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 18A TO252-35,000 : $0.56405
2,500 : $0.59374
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Digi-Key 得捷电子
IPD053N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥11.13
10+:¥9.8401
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Digi-Key 得捷电子
IPD053N06N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
IPD053N06N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Obsolete
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Digi-Key 得捷电子
IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3$1.37000
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element14 e络盟电子
IPD053N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥11.13
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Mouser 贸泽电子
IPD053N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥11.13
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IPD053N06NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-21:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9269
500:¥6.1133
2,500:¥4.2827
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IPD053N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-21:¥10.5316
10:¥8.9948
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IPD053N06N3GInfineon Technologies AGN/A500 : $0.68
1,000 : $0.65
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Rutronik
IPD053N06NInfineon Technologies AGN-CH 60V 45A 5,3mOhm TO252-3 RoHSconf价格未公开
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Verical
IPD053N06NInfineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 45A$0.875
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Verical
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10+:¥4.36
50+:¥4.14
100+:¥3.87
200+:¥3.68991+:¥6.41
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IPD053N06NInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.8V @ 36uA 漏源导通电阻:5.3mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道1+:¥7.26
200+:¥2.81
500+:¥2.71
1000+:¥2.67