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IPD03N03LAG / MOSFET N-Ch 25V 90A DPAK-2
IPD03N03LAG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:90 A

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Rds On-漏源导通电阻:5.1 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:6.6 ns

正向跨导 - 最小值:113 S / 56 S

最小工作温度:- 55 C

上升时间:10 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:42 ns

典型接通延迟时间:13 ns

供应商IPD03N03LAG
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IPD03N03LAGOptiMOS®2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO325.31 Kbytes共10页IPD03N03LAG的PDF下载地址IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB
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